温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；对部分所述基底进行第一氧化处理，形成第一介质层；对所述第一介质层正下方的部分所述基底进行第二氧化处理，以形成第二介质层，所述第一介质层和所述第二介质层构...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。