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本申请提供一种基于有源硅中介层的封装结构及其制作方法，应用于基于有源硅中介层的封装结构技术领域，基于有源硅中介层的封装结构包括：封装载体，包括第一焊盘阵列；有源硅中介层，位于封装载体上方，且有源硅中介层包括第二焊盘阵列和第三焊盘阵列；第一金...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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