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本发明提供了一种可在空气条件下实现芯片低温固相连接的方法，包括如下步骤：步骤S1，对芯片和基板的表面进行清洗、干燥；步骤S2，在芯片的背面沉积一层纳米金属层；在基板沉积一层纳米金属层，所述纳米金属层为纳米Ag镀层或纳米Au镀层；步骤S3，将...该专利属于哈尔滨工业大学（深圳）（哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院）所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨工业大学（深圳）（哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院）授权不得商用。