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本发明提供了具有T型源漏电极的背栅场效应晶体管及其制备方法以及CMOS反相器。该背栅场效应晶体管包括第一介质层；背栅结构，包括栅介质层与背栅电极；半导体有源层，设置于栅介质层远离第一介质层的一侧；阈值调控层，设置于半导体有源层远离栅介质层的...该专利属于北京元芯碳基集成电路研究院北京华碳元芯电子科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京元芯碳基集成电路研究院北京华碳元芯电子科技有限责任公司授权不得商用。