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本发明提供一种横向高压功率器件的槽型终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；包括漏极N+接触区、Nwell区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、Pwell区、源极P+接触区、源极N+接触区、介质槽、P型槽底注入区；通过刻槽来...
该专利属于电子科技大学广东电子信息工程研究院所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学广东电子信息工程研究院授权不得商用。

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