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本发明涉及种一种基于重离子掺杂的亚微米超结制造方法，器件结构包括漏电极、栅电极、源电极，第一导电类型重掺杂区、第二导电类型重掺杂区，第二导电类型柱区、第一导电类型柱区，第一导电类型阱区，第一介质栅氧化层、第二介质氧化层，第三介质氧化层。在N...
该专利属于无锡用芯微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡用芯微电子科技有限公司授权不得商用。

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