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本实用新型公开了一种高稳定性的单晶硅传感器，涉及单晶硅传感器技术领域。本实用新型包括底座体、底座体的上端面中央位置开设有装配腔、底座体的上端面卡接有密封盖；锁紧孔一、均匀开设在底座体的上端面，且位于连接机构一侧，所述密封盖的内部外侧开设有锁...
该专利属于浙江中微自控设备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江中微自控设备有限公司授权不得商用。

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