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本公开涉及纳米压印光刻中的残余层厚度调制。提出了一种改进的纳米压印光刻工艺，其中，通过紫外线固化和从树脂层释放纳米压印模具后剩余的树脂的残余层的厚度来控制高度。此外，残余层的厚度可以通过将其图案转移到设置在衬底上的树脂层的纳米压印模具的填充...
该专利属于谷歌有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过谷歌有限责任公司授权不得商用。

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