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本发明提供一种分离晶片基材上表层的多个半导体元件裸片方法，该方法包括下列步骤：于欲分离的相邻裸片间形成蚀刻图案，可使用各种蚀刻工艺形成此蚀刻图案。蚀刻图案一般达一预定深度至晶片晶材中，显著地低于晶片上表层，而上表层嵌入先制成的半导体裸片。将...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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