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本申请公开了一种射频半导体器件及其制造方法，涉及半导体器件技术领域。射频半导体器件可包括介电材料层，介电材料层的材料包括氮化铝、氮化硅和氧化硅中的至少一种；设置在介电材料层一侧的外延材料层；设置在外延材料层远离介电材料层一侧的有源层。根据本...
该专利属于苏州华太电子技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州华太电子技术股份有限公司授权不得商用。

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