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本发明提供半导体装置及制造半导体装置的方法。该半导体装置包括：碳化硅磊晶层以及第一凹槽，该碳化硅磊晶层具有：p型阱区；在该p型阱区的表面上的重掺杂n型区；以及在该重掺杂n型区之下且在该p型阱区内的重掺杂p型区，该第一凹槽形成在该重掺杂p型区...
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