温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种复合磁屏蔽结构，包括：具有近零磁导率的超材料，所述超材料包括基板以及设于所述基板上的源线圈组件；固定于所述超材料表面的铁氧体层；固定于所述铁氧体层表面的金属层；其中，所述铁氧体层和所述金属层在所述源线圈组件的电流激励下形成类H...
该专利属于同济大学所有，仅供学习研究参考，未经过同济大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。