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本发明属于半导体器件欧姆接触技术领域。针对现有技术存在的工艺复杂、容易损伤晶格，稳定性不好的问题，提供了一种在氧化镓衬底上实现高效欧姆接触的方法，步骤如下：(1)对β
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该专利属于青岛科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过青岛科技大学授权不得商用。

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