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本发明公开了一种半导体结构，包括：半导体器件和功率器件，所述半导体器件包括两个栅极、一个源极和一个漏极；所述功率器件包括一个栅极、一个源极和一个漏极；所述半导体器件的第一栅极与所述半导体器件的源极连接，作为所述半导体结构的栅极；所述半导体器...
该专利属于矽力杰半导体技术（杭州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过矽力杰半导体技术（杭州）有限公司授权不得商用。

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