温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明所涉及的NOR闪存存储器的刷新方法中用于在闪存单元的刷新中产生新的页地址，所述NOR闪存存储器中的闪存单元分为多个阵列，每个阵列包含多个块，每个块包含多个字线，每个字线包含多个页，所述刷新包括：从闪存单元的阵列的起始页地址开始，基于闪...
该专利属于东芯半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东芯半导体股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。