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本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种铜互连工艺。铜互连工艺包括以下步骤：提供互连介质层，所述互连介质层中形成互连槽；沉积形成阻挡层，所述阻挡层覆盖在所述互连槽的内壁上；沉积铜金属层，所述铜金属层填充满带有所述阻挡层的互连槽中；...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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