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本发明属于真空微电子技术领域，具体涉及一种提高电子源栅网电子透过率的方法，包括在电子源的栅网结构中各阵列单元表面及侧壁的金属导电层上沉积驻极体材料，其中，金属导电层经引线引出；对驻极体材料充电以形成驻极体，驻极体的形成使得栅网的各个阵列单元...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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