一种提高电子源栅网电子透过率的方法技术

本发明专利技术属于真空微电子技术领域，具体涉及一种提高电子源栅网电子透过率的方法，包括在电子源的栅网结构中各阵列单元表面及侧壁的金属导电层上沉积驻极体材料，其中，金属导电层经引线引出；对驻极体材料充电以形成驻极体，驻极体的形成使得栅网的各个阵列单元之间产生聚焦电场，形成的聚焦电场会改变阵列化阴极发射体所发射电子的运动轨迹，使得阵列化阴极发射体发射的电子不会轰击到栅网表面从而越过栅网发射出去。本发明专利技术方法中栅网表面沉积驻极体材料，利用驻极体材料表面的空间电荷分布改变阴极所发射电子的运动轨迹，有效提高电子透过率，从而增加器件整体的稳定性。从而增加器件整体的稳定性。从而增加器件整体的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种提高电子源栅网电子透过率的方法


[0001]本专利技术属于真空微电子技术
，更具体地，涉及一种提高电子源栅网电子透过率的方法。

技术介绍

[0002]电子源是一种在工业以及研究领域极其重要的器件。随着半导体技术和材料制备工艺的飞速发展，电子源也迎来了蓬勃发展之路，并广泛应用在了材料表征、光刻、高频辐射、通讯、显示、探测和空间探测等众多领域中，因而电子发射技术成为社会科学领域中不可或缺的重要技术。
[0003]电子发射一般可分为热电子发射、场发射、光发射与二次电子发射，由于施加的激发能量与方式不同，相对应的电子发射机理与性能也存在差异。
[0004]电子源一般由阴极、绝缘层和栅网(栅极)组成。阴极一般采用功函数较低的发射体材料，在电场或外力作用下，电子可以越过表面势垒进而发射到自由空间中；绝缘层在阴极和栅网间充当绝缘作用，避免高压下阴极和栅网导通；栅网的主要作用是在阴极发射体表面施加一个均匀电场，使得电子能够从阴极表面均匀的发射出来。在电子源的发射结构中，阴极发射出来的电子流会被栅网截获掉一部分，被截获的电流会导致栅网功本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高电子源栅网电子透过率的方法，其特征在于，包括：在电子源的栅网结构中各阵列单元表面及侧壁的金属导电层上沉积驻极体材料，其中，所述金属导电层经引线引出；对所述驻极体材料充电以形成驻极体，驻极体的形成使得栅网结构中各个阵列单元之间产生聚焦电场，形成的聚焦电场会改变阵列化阴极发射体所发射电子的运动轨迹，使得阵列化阴极发射体发射的电子不会轰击到栅网结构中各阵列单元表面从而越过栅网结构中各阵列单元而发射出去。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述驻极体材料充电的实现方式为：基于阵列化阴极发射体产生的电子在电场力的作用下发射到所述驻极体材料上，从而形成驻极体，实现栅网自充电。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述驻极体材料为无机驻极体材料。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述驻极体材料为SiN
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。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述驻极体材料的厚度为0.5μ...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖东阳，宋培义，孙雷蒙，涂良成，匡双阳，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：