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本申请提供了一种半导体结构及其制备方法，所述半导体结构包括：依次层叠设置的源极、介电层、漏极和衬底；沟道，所述沟道为中空桶状结构，所述沟道内部为栅极；所述沟道依次贯穿层叠设置的所述源极、所述介电层并延伸至所述漏极中，并被所述源极、所述介电层...
该专利属于长鑫科技集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫科技集团股份有限公司授权不得商用。

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