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本发明公开了一种超结VDMOS器件及其制备方法、电子设备，超结VDMOS器件包括：衬底和超结结构。其中，所述超结结构形成在所述衬底上；所述超结结构包括第一导电类型柱和第二导电类型柱；每个所述导电类型柱均贯穿所述超结结构在高度方向上相对的两个...
该专利属于绍兴中芯集成电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过绍兴中芯集成电路制造股份有限公司授权不得商用。

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