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存储器结构及其制造方法技术
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文档序号:38842877
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本公开提供一种存储器结构及其制造方法。存储器结构包括一存储元件、一间隙壁结构以及一上元件结构。存储元件包括一下存储层与一上存储层在下存储层上。间隙壁结构在下存储层的一侧壁表面上。上元件结构电性连接在上存储层上。上元件结构的一下表面、下存储层...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。
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