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本申请公开了一种高密度3D闪存两步编程方法，涉及闪存编程优化的技术领域，其包括S1：在3D QLC闪存的第二步编程中，识别待编程字线中已经被无效的页面；S2：确定无效页面数量与无效页面类型，即属于LSB、MSB、CSB、TSB中的哪种页面；...
该专利属于厦门大学所有，仅供学习研究参考，未经过厦门大学授权不得商用。

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