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本发明涉及一种超结MOSFET器件及其加工方法，超结MOSFET器件至少包括衬底结构、耐压区和槽型栅极结构，耐压区设置在衬底结构上，耐压区至少包括属于第一导电类型的至少一个第一耐压区和属于第二导电类型的至少一个第二耐压区，槽型栅极结构设置在...
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