温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体元件及其形成方法，其中该半导体元件包括具有第一导电类型的衬底、设置于衬底上的外延层、设置于外延层中的掺杂区、以及设置穿过掺杂区并延伸进入外延层中的栅极电极。外延层具有第一导电类型，而掺杂区具有第二导电类型，第二导电类型不同于第一导...
该专利属于世界先进积体电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过世界先进积体电路股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。