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本申请涉及红外探测器芯片制备领域，公开了一种在碲镉汞红外探测器芯片上制备接触孔的方法，包括根据接触孔图形，利用干法刻蚀工艺刻蚀碲镉汞红外探测器芯片表面的复合钝化膜，去除第二钝化膜；复合钝化膜包括层叠的第一钝化膜和第二钝化膜；利用腐蚀液腐蚀与...
该专利属于北京智创芯源科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京智创芯源科技有限公司授权不得商用。

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