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半导体结构、存储单元结构及半导体结构的制造方法技术
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文档序号:38773221
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本公开实施例提供一种半导体结构、存储单元结构及半导体结构的制造方法,半导体结构包括:基底,具有相对的第一面和第二面,且基底内具有相连通的沟槽和通孔,沟槽自第一面向第二面方向延伸,通孔位于沟槽与第二面之间;位于沟槽内且相互分立的第一栅极和第二...
该专利属于长鑫科技集团股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫科技集团股份有限公司授权不得商用。
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