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半导体基材(Si柱)(100)在基板(Sub)上在垂直方向直立或在水平方向延伸，且剖面为圆形或长方形，在配置于半导体基材(100)的两端的第一杂质层(101a)与第二杂质层(101b)之间，具有包围半导体基材(100)的第一栅极绝缘层(10...该专利属于新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司授权不得商用。
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半导体基材(Si柱)(100)在基板(Sub)上在垂直方向直立或在水平方向延伸，且剖面为圆形或长方形，在配置于半导体基材(100)的两端的第一杂质层(101a)与第二杂质层(101b)之间，具有包围半导体基材(100)的第一栅极绝缘层(10...