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本发明涉及一种用于抑制短沟道效应的高电子迁移率晶体管及制备方法，包括：从下至上依次层叠设置的衬底层、缓冲层和沟道层；分别设置在沟道层两端的源极和漏极；设置在沟道层上的插入层；设置在插入层上的势垒层；设置在势垒层上的钝化层；沿着栅宽方向，设置...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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