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一种发光二极管及其制备方法技术
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文档序号:38758541
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本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种发光二极管及其制备方法,外延层,所述外延层自下而上依次包括N型半导体层、发光层和P型半导体层;透明导电层,设置于所述P型半导体层上,所述透明导电层具有多个空隙,所述空隙内填充有金属层;P型电极,设置于所...
该专利属于安徽三安光电有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过安徽三安光电有限公司授权不得商用。
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