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本发明提供一种失效定位方法，提供含有失效后段结构的芯片样品；对芯片样品进行去层次，暴露出需要分析的金属层；在芯片样品表面沉积一层覆盖所述金属层的金属导电层；去除芯片样品表面覆盖在金属层上的所述金属导电层的部分，将金属层露出；在芯片样品表面沉...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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