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本发明涉及一种吨级晶体生长槽磷酸二氢钾饱和溶液亚稳区宽度测量方法。在配料槽中，配制成饱和ＫＤＰ生长溶液后，用吊晶法精确测量饱和溶液的饱和温度。饱和溶液过热恒温２４小时，过滤导入装有快速生长载晶架的晶体生长槽中，载晶架上不放籽晶，生长槽外水浴...
该专利属于中国科学院福建物质结构研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院福建物质结构研究所授权不得商用。

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