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本申请提供一种电荷耦合器件及图像传感器，涉及半导体技术领域，用于解决抗晕效果较差的技术问题，该电荷耦合器件包括衬底、存储单元组和抗晕结构，存储单元组包括两列存储单元，两列存储单元之间设有抗晕结构；每列存储单元包括设置在衬底内的N型埋层，抗晕...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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