电荷耦合器件及图像传感器制造技术

本申请提供一种电荷耦合器件及图像传感器，涉及半导体技术领域，用于解决抗晕效果较差的技术问题，该电荷耦合器件包括衬底、存储单元组和抗晕结构，存储单元组包括两列存储单元，两列存储单元之间设有抗晕结构；每列存储单元包括设置在衬底内的N型埋层，抗晕结构包括设置在衬底内且位于相邻N型埋层之间的N型掺杂区、连接在N型埋层和N型掺杂区之间的第一掺杂层；第一掺杂层的导电类型为N型，且第一掺杂层的掺杂浓度低于N型埋层和N型掺杂区的掺杂浓度。第一掺杂层作为N型埋层和N型掺杂区之间的电子势垒，使N型埋层中存储电子，并作为N型埋层满阱后电子的溢出通道，使多出的电子可以溢出到N型掺杂区，起到较好的抗晕效果。起到较好的抗晕效果。起到较好的抗晕效果。

【技术实现步骤摘要】
电荷耦合器件及图像传感器


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种电荷耦合器件及图像传感器。

技术介绍

[0002]时间延时积分(Time Delay Integration，简称TDI)图像传感器已在空间探测、工业检测和医学成像等领域有着广泛的应用。时间延时积分图像传感器的成像机理为对拍摄物体所经过的像素逐行进行曝光，将曝光结构累加，从而解决高速运动物体曝光时间不足所引起的成像信号弱问题，以增加有效曝光时间，提高图像信噪比。
[0003]时间延时积分图像传感器包括电荷耦合器件(Charge Coupled Device，简称CCD)，电荷耦合器件可以实现电荷无损转移并累加，不会额外引入噪声。电荷耦合器件通常包括多列存储单元，为了避免电子溢出至相邻的存储单元，相邻两列存储单元之间设置有抗晕结构。然而，现有抗晕结构的抗晕效果较差。

技术实现思路

[0004]鉴于上述问题，本申请实施例提供一种电荷耦合器件及图像传感器，以提高抗晕结构的抗晕效果。
[0005]第一方面，本申请实施例提供一种电荷耦合器件，包括衬本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电荷耦合器件，其特征在于，包括衬底、沿第一方向间隔排布的多个存储单元组，以及抗晕结构，每个所述存储单元组包括沿所述第一方向间隔排布的两列存储单元，两列所述存储单元之间设置有所述抗晕结构；每列所述存储单元包括设置在所述衬底内且沿第二方向延伸的N型埋层，所述第二方向与所述第一方向交叉，所述抗晕结构包括设置在所述衬底内且位于相邻所述N型埋层之间的N型掺杂区、连接在所述N型埋层和所述N型掺杂区之间的第一掺杂层、设置在所述衬底上且与所述第一掺杂层相对的第一介质层，以及设置在所述第一介质层上的抗晕栅极；所述第一掺杂层的导电类型为N型，所述第一掺杂层的掺杂浓度低于所述N型埋层的掺杂浓度，且低于所述N型掺杂区的掺杂浓度。2.根据权利要求1所述的电荷耦合器件，其特征在于，每个所述存储单元组中的两列所述存储单元之间的抗晕结构具有多个，多个所述抗晕结构沿所述第二方向间隔排布；所述电荷耦合器件还包括设置衬底内的隔离层，所述隔离层位于相邻两个所述抗晕结构的N型掺杂区之间，且位于相邻两个所述抗晕结构的第一掺杂层之间，所述隔离层的导电类型为P型，且所述隔离层的电位最低。3.根据权利要求2所述的电荷耦合器件，其特征在于，每列所述存储单元还包括设置在所述衬底上且与所述N型埋层相对的第二介质层，以及设置在所述第二介质层上且沿所述第二方向间隔排布的多个控制栅极；沿所述第二方向相邻的两个所述控制栅极之间的所述N型埋层与所述隔离层相对且邻接。4.根据权利要求3所述的电荷耦合器件，其特征在于，所述第一掺杂层的材质包括单晶硅，沿所述第一方向，所述第一掺杂层的长度大于0.5微米，深度小于0.5微米，掺杂浓度低于2
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/cm3，且高于1
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/cm3；和/或，沿所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙德明，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：