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本发明公开用于将离子植入半导体结构的系统。所述半导体结构经定位在散热器100上，且将离子穿过所述半导体结构的前表面植入以在所述半导体结构中形成损害区域。测量与散热器100的摩擦系数相关的参数；例如通过测试设备300测量滑动角。比较所述参数与...
该专利属于环球晶圆股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过环球晶圆股份有限公司授权不得商用。

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