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本申请公开了一种GaN器件结构和制备方法。GaN器件结构包括衬底、GaN器件和电阻件，GaN器件设置在衬底上，GaN器件连接Si器件，Si器件用于控制GaN器件，电阻件设置在衬底上，电阻件与Si器件并联。在本申请实施方式的GaN器件结构中，...
该专利属于深圳市国电科技通信有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市国电科技通信有限公司授权不得商用。

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