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实施例包括形成交叉点存储器器件的方法、形成多层选择器材料的方法和器件。多层选择器结构的第一层可以包括多层选择器结构的第二层的元素的子集。开关元件的梯度浓度可以在选择器结构中找到，第一层包括基本稳定的元素浓度，第二层包括共有元素以及第一层独有...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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