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本发明属于碳化硅晶体生长的衍生技术领域，具体涉及一种碳化硅单晶生长的原料提纯方法和原料，原料提纯方法包括使原料进行筛分后获得筛分的原料和游离态碳粉，使筛分的原料进行氧化煅烧后获得提纯原料；氧化煅烧的条件包括：炉管具有相对设置的进气端和抽气端...
该专利属于苏州优晶光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州优晶光电科技有限公司授权不得商用。

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