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本发明涉及一种基于选区退火的高击穿电压增强型GaN器件及制备方法，属于微电子器件领域，包括SiC衬底和生长在SiC衬底上的AlN成核层，AlN成核层上方依次为GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层、p
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该专利属于山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学授权不得商用。

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