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本发明公开了一种基于低RDS的N沟道增强型MOSFET器件及制造方法，属于半导体器件设计及制造领域，包括：半导体衬底，以及在半导体衬底上生长出的外延层；金属层，金属层设置于外延层上；沟槽结构，设置于外延层中，沟槽结构包括至少两个器件单胞，器...
该专利属于福建康博电子技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建康博电子技术股份有限公司授权不得商用。

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