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本发明涉及半导体激光器技术领域，尤其涉及一种二阶光栅面发射半导体激光器及其制备方法，激光器包括从下至上依次层叠的衬底层、缓冲层、N型包层、N型波导层、有源层、P型波导层、P型包层和盖层，在衬底层的底面制备有N型电极，N型电极未覆盖衬底层的区...
该专利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院长春光学精密机械与物理研究所授权不得商用。

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