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本公开提供了一种SPAD图像传感器件及制备方法，该SPAD图像传感器件包括：第一光子反射层、衬底、P型硅外延层、N埋层掺杂区、深N阱掺杂区、N型重掺杂区、P型重掺杂区、浅沟槽隔离区、第二光子反射层、深沟槽隔离区、光子吸收层、阴极、阳极、微透...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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