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本发明公开了一种三维相变存储器的制备方法及应用，属于微电子器件与存储器技术领域；深孔的刻蚀深度大于或等于第一金属导电层与叠层的厚度之和，使得第一金属导电层为围绕深孔的环形形状，在此基础上，对第一金属导电层施加脉冲信号，脉冲信号中任意相邻的两...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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