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本发明涉及一种沟槽栅半导体器件及其制备方法，所述沟槽栅半导体器件包括：P+衬底；位于所述P+衬底上的N
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该专利属于北京微电子技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过北京微电子技术研究所授权不得商用。

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