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本申请公开一种绕镀去除方法，属于半导体技术领域。绕镀去除方法包括：在硅片的掺杂层的表面设置保护层；将硅片置于工艺腔室中进行干刻，以刻蚀位于硅片边缘的绕镀层；去除保护层。在对绕镀层刻蚀之前，在掺杂层的表面设置一层保护层，避免刻蚀绕镀层的同时刻...
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