绕镀去除方法技术

本申请公开一种绕镀去除方法，属于半导体技术领域。绕镀去除方法包括：在硅片的掺杂层的表面设置保护层；将硅片置于工艺腔室中进行干刻，以刻蚀位于硅片边缘的绕镀层；去除保护层。在对绕镀层刻蚀之前，在掺杂层的表面设置一层保护层，避免刻蚀绕镀层的同时刻蚀掺杂层，而且，采用干刻技术刻蚀绕镀层与清洗液清洗绕镀层的方式相比，能更有效地去除绕镀，故本实施例中的绕镀去除方法既能有效保护掺杂层，又能有效去除绕镀，有利于保证硅片所形成的电池的工作性能。的电池的工作性能。的电池的工作性能。

【技术实现步骤摘要】
绕镀去除方法


[0001]本申请属于半导体
，具体涉及一种绕镀去除方法。

技术介绍

[0002]TOPCon是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触(Tunnel Oxide Passivated Contact)太阳能电池技术，其电池结构包括基体，在基体相背的两面分别制备一层超薄氧化硅形成的氧化层和沉积一层多晶硅形成的掺杂层，形成硅片，氧化层和掺杂层共同形成钝化接触结构，有效降低表面复合和金属接触复合。
[0003]相关技术中，在制作电池的流程中，会继续利用气相沉积法在氧化层的表面沉积一层多晶硅层，为避免掺杂层的表面也沉积多晶硅，相邻的两个硅片以背靠背的形式置于真空环境中，即相邻的两个硅片的掺杂层接触，掺杂层被遮挡，两个硅片的其余部分处于裸露状态，如此一来，沉积气体不仅会在氧化层背向基体的表面沉积多晶硅层，也会绕过硅片从而在硅片的边缘形成绕镀层。为去除绕镀层，通常利用酸液或碱液对硅片的表面进行清洗，但由于掺杂层一直处于裸露状态，清洗液体腐蚀绕镀层的同时也会腐蚀掺杂层，影响电池性能。

技术实现思路

[0004本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种绕镀去除方法，其特征在于，包括：在硅片的掺杂层(200)的表面设置保护层；将硅片置于工艺腔室中进行干刻，以刻蚀位于所述硅片边缘的绕镀层(500)；去除所述保护层。2.根据权利要求1所述的绕镀去除方法，其特征在于，所述将硅片置于工艺腔室中进行干刻，以刻蚀位于所述硅片边缘的绕镀层(500)，具体包括：将所述硅片置于工艺腔室中；向所述工艺腔室内充入刻蚀气体；对所述刻蚀气体施加电场，在所述电场的作用下，所述刻蚀气体产生带电离子，且所述带电离子溅射所述硅片的边缘，以刻蚀位于所述硅片边缘的绕镀层(500)。3.根据权利要求2所述的绕镀去除方法，其特征在于，所述刻蚀气体包括第一气体源和第二气体源，所述对所述刻蚀气体施加电场，在所述电场的作用下，所述刻蚀气体产生带电离子，具体包括：对所述第一气体源和所述第二气体源施加电场，在所述电场的作用下，所述第一气体源产生带电离子，所述第二气体源产生活性自由基，且所述活性自由基轰击所述硅片的边缘，以促进所述带电离子与所述绕镀层(500)反应。4.根据权利要求3所述的绕镀去除方法，其特征在于，所述第二气体源包括三氟化氮，所述活性自由基为氟。5.根据权利要求3所述的绕镀去除方法，其特征在于，所述第一气体源包括氯气，所述带电离子为氯离子。6.根据权利要求2所述的绕镀去除方法，其特征在于，所述对所述刻蚀气体施加电场，具体包括：对所述刻蚀气体施加电场，所述电场的方向与所述硅片所在的平面相垂直。7.根据权利要求1所述的绕镀去除方法，其特征在于，所述在硅片的掺杂层(200)的表面设置保护层，具体包括：在...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭高攀，
申请(专利权)人：淮安捷泰新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：