温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种隧穿场效应晶体管的制备方法，属于微纳电子学技术领域。本发明在基本的隧穿场效应晶体管结构的基础上，采用外延方法在衬底表面和栅叠层之间制备了一个具有和漏区或源区同样掺杂类型的中等浓度硅材料作为沟道区，从而降低或增大了隧穿场效应晶...
该专利属于北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。