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本实用新型涉及一种半蚀刻双基岛共源共栅半导体引线框架，由框架单元组成，框架单元包括框架边框、基岛固定区、引脚、连筋和蚀刻区，框架边框位于外围边缘，基岛固定区包括间隔设置的第一基岛固定区和第二基岛固定区，第一基岛固定区设有半蚀刻的第一基岛，第...
该专利属于张勇所有，仅供学习研究参考，未经过张勇授权不得商用。

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