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本发明涉及半导体技术领域中的一种碳化硅沟槽栅MOSFET器件及制造方法，包括若干组第一元胞结构以及至少一组带有电极引出结构的第二元胞结构，第一元胞结构和第二元胞结构包含有共同的衬底层、缓冲层和漂移层，第一元胞结构还包括源极结构以及位于源极结...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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