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本实用新型涉及一种应用于MCU的EFT检测电路，包括：至少一个的检测单元；检测单元包括：依次连接的检测模块和延时缓冲模块；检测模块包括：MOS管、电阻和电容，MCU的电源线与检测模块连接，MCU有EFT干扰时MOS管的栅源两端产生电压差使M...
该专利属于武汉瑞纳捷半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉瑞纳捷半导体有限公司授权不得商用。

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