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本发明提供一种能够进行抑制了消耗电力的编程的半导体装置及编程方法。本发明的NAND型闪速存储器的编程方法准备高速编程用区块与用于最终存储数据的回写用区块，在省电模式时响应于从外部输入的编程指令，在高速编程用区块的偶数页与奇数页分别高速编程1...
该专利属于华邦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华邦电子股份有限公司授权不得商用。

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